1330nm DFB 激光器是一種基于半導體材料的激光二極管，其核心特性是通過周期性折射率調制（光柵）實現(xiàn)光反饋，從而產生單縱模激光輸出。1330nm DFB 激光器工作在光纖通信的O波段，常用于光纖傳感、電信和生物醫(yī)學等領域。
1.外延層結構
襯底：通常為InP（磷化銦），與InGaAsP材料晶格匹配。
下波導層：較低折射率的InP或InGaAsP層，限制光場分布。
有源區(qū)：厚度約幾百納米的InGaAsP多層量子阱（MQW），提供光增益。
上波導層：與下波導層對稱，進一步限制光場。
光柵層：位于有源區(qū)附近或內部，通過全息曝光、電子束曝光等技術刻蝕周期性折射率調制。
蓋層：高阻材料（如InP），保護器件并形成電注入結構。
2.電極結構
p型和n型電極：分別接觸有源區(qū)的上下兩側，形成PIN結。注入電流時，電子和空穴分別從n型和p型區(qū)域注入有源區(qū)。
脊形波導：通過刻蝕形成的條狀結構，限制光場和電流路徑，降低閾值電流。
3.封裝結構
TO封裝：激光器芯片焊接在銅熱沉上，通過金絲鍵合連接電極，外殼采用氣密性封裝。
光纖耦合：輸出光通過透鏡或直接耦合到單模光纖，提高耦合效率。
1330nm DFB 激光器關鍵特性：
1.波長穩(wěn)定性
DFB結構對溫度敏感，通常需集成熱沉或溫控電路以穩(wěn)定波長。
1330 nm波長對應光纖的零色散點附近，適合長距離傳輸。
2.單頻輸出
無多縱模競爭，光譜純度高，適用于相干通信或高精度傳感。
3.低閾值電流
量子阱結構和脊形波導設計降低閾值電流。
4.調制特性
可直接調制（帶寬受限），或使用外部調制器實現(xiàn)高速調制。
歡迎來到深圳市利拓光電有限公司網站！
網站首頁
